未掺杂的多晶硅层通过低压化学气相沉积 (LPCVD) 沉积。这是常见的多晶硅沉积方法，根据应用，有些需要在沉积后进行掺杂。该过程在 560°C – 650°C 之间的低温炉中进行。未掺杂的多晶硅层随着温度的升高呈指数增长，尽管温度范围很小。LPCVD 在低气压炉中沉积多晶硅，以防止污染并形成高度均匀的多晶层。电隔离是未掺杂多晶硅层常见的用途，尽管扩散和原位掺杂方法通常也使用多晶硅。

回收业务范围：

1: 碎多晶硅，颗粒原生多晶硅，菜籽多晶硅。原生多晶硅。

2：片料，P/N型碎硅片，脏硅片，P/N型碎裸片，扩散片，碎电池片。IC抛光片，彩片，碎裸片。

3：太阳能电池片/硅片完整片.电池片碎片,废银浆，扩散片，蓝膜片,裸片等光伏行业废料.
4：块料：P/N型单晶边皮，多晶边皮，进口边皮，复拉棒，单晶硅料，多晶硅料，锅底料，重掺料。

5.各类型单／多晶组件《降级组件,不良组件,废旧组件