描述

TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供 低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和 快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护 特性， 包括热关断保护，并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。

特性

• 同步降压控制器 (VDDQ)

• 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V

• 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式

• 电流模式选项支持陶瓷输出电容器

• 支持 S4/S5 状态内的软关闭

• 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测

• 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至
  1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或
  输出范围 0.75V 至 3.0V

• 配备有电源正常、过压保护和欠压保护

• 3A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF)

• 拉电流和灌电流的能力达到 3A

• 提供 LDO 输入以优化功率损耗

• 只需 20μF 陶瓷输出电容器

• 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出

• 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度

• 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭

• 热关断